> Graveur ICP au Chlore

Manufacturier : Oxford Instruments

 

Rôle de l'appareil

   Le Plasmalab system 100 est un outils de gravure utilisant un plasma de haute densité configuré pour la gravure de GaAs, d'InP, de GaN, d'Al, de Cr et de matériaux similaires utilisés dans le fabrication de micro et nano dispositifs.

 

Spécifications techniques

• Source plasma haute densité ICP de 380 mm (générateur 2MHz, 5kW)
• Électrode inférieure de 240 mm (13.56MHz, 600 W) avec
· accord d'impédance automatique et hauteur variable
• Refroidissement/Chauffage de l'électrode (-150° C à 400° C)
• Dispositif de serrage des échantillons et contact thermique à l'He
• Porte échantillon: de petits morceaux jusqu'aux gauffres de 200 mm
• Pression typique d'opération: 1- 100 mtorr
• Contrôlé sous Windows XP avec recettes programmables

 

Accessoires

• Gaz disponibles: Cl2, O2, SiCl4, CH4, He, SF6, H2, N2, Ar
• Chargement rapide des échantillons (loadlock)
• Système de détection de fin de gravure par interferometrie Laser
• Nettoyage automatisé de la chambre

 

Exemples de procédés et de services disponibles

• Gravure anisotrope de GaAs pour la fabrication de guides d'ondes optiques
• Gravure de photomasques utilisés pour la lithographie UV

Tarif Académique | Industriel :
80 $/h | 180 $/h

 

 

maN2403
GaAs-nano
Gravure nanométrique de GaN (transfert à partir d'un masque de résine réalisé par Nanoimprint) pour des applications LED Gravure anisotrope de GaAs (tranchée de 80nm de largeur, résine toujours en place)

 

Al-60nmHP

Gravure anisotrope d'Aluminium (réseau de lignes de 60nm de largeur espacées de 60nm)