> Graveur ICP pour gravure profonde de Si

Manufacturier : Oxford Instruments

 

Rôle de l'appareil

   Le Plasmalab system 100 est un outils de gravure utilisant un plasma de haute densité configuré pour la gravure profonde du Silicium à l'aide de procédés cryogéniques ou Bosch.

 

Spécifications techniques

• Source plasma haute densité ICP de 380 mm (générateur 2MHz, 5kW)
• Électrode inférieure de 240 mm (13.56MHz, 600 W) avec
· accord d'impédance automatique et hauteur variable
• Refroidissement/Chauffage de l'électrode (-150° C à 400° C)
• Dispositif de serrage des échantillons et contact thermique à l'He
• Porte échantillon: de petits morceaux jusqu'aux gauffres de 200 mm
• Pression typique d'opération: 1- 100 mtorr
• Contrôlé sous Windows XP avec recettes programmables

 

Accessoires

• Controlleurs de débit (MFCs) rapides pour le procédé Bosch
• Gaz disponibles: SF6, C4F8, CF4, O2, H2
• Système de mesure de la profondeur de gravure par interferometrie Laser
• Chargement rapide des échantillons (loadlock)
• Nettoyage automatisé de la chambre

 

Exemples de procédés et de services disponibles

• Gravure anisotrope de tranchées de 300 um de profondeur pour la fabrication de dispositifs 'MEMs'
• Fabrication de 'via' à travers le silicium

Tarif Académique | Industriel :
80 $/h | 180 $/h

 

 

Si-AR40micro
Si-DSE
Gravure anisotrope profonde de Silicium (tranchées de 1.25um et 40um de profondeur sur la gauche) obtenue à l'aide d'un procédé Bosch pour des applications MEMS

 

Si-AR40nano
Si-dots25nm
Gravure nanométrique de Silicium (motifs de 80nm et 3um de haut) pour des applications NEMS Transfert de motifs de 20nm dans le Silicium pour des applications de Nanoimprint