> Faisceau d’Ions Focalisé intégré avec un Microscopie Électronique à Balayage (FIB/MEB)

Modèle : Tescan LYRA 3 XMH

 

Rôle de l'appareil

Faisceau d’Ions Focalisé (FIB) intégré avec un Microscope Électronique à Balayage (MEB) pour la préparation des échantillons TEM
Système d’injection de gaz pour décapage ou dépôt de couches minces (GIS)
Caractérisation par spectroscopie d’énergie dispersive (SED)

 

Spécifications techniques

  - Optiques MEB 

• Canon d’électrons : - Émetteur Schottky à haute luminosité
                                   - Tension d'accélération: 200 V à 30 kV
• Courant de sonde: 2 pA à 200 nA
• Résolution: en mode SE: 1.2 nm à 30 kV et 3 nm à 3 kV
                      en mode BSE: 2 nm à 30 kV
• Grossissement: x1 à x1,000,000
 
  - Optiques ioniques 
 
• Canon d’ions : source de Galium liquide
• Résolution : < 5 nm à 30 kV / < 2.5 nm à 30 kV (au point de coïncidence MEB-FIB)
• Grossissement : 150X à 1,000,000X
• Angle entre MEB et FIB : 55°
• Tension d’accélération : 0.5 kV à 30 kV
 

Accessoires

• SED : Quantax de Bruker (détecteur X-Flash 6160) pour l’analyse des éléments
• Système d’injection de gaz (5-GIS de Orsayphysics) équipé de 5 précurseurs pour déposer ou enlever de la matière
• Nanomanipulateur OmniProbe 200 d’Oxford Instrument

 

Exemples de procédés et de services disponibles

• Préparation des échantillons pour le MET
• Observations MEB par électrons secondaires (SEI) et par électrons rétrodiffusée (BSE)
• Détermination et quantification des éléments par SED

 

 

Observation de nanoparticules d'Or par Microscopie Électronique à Balayage haute résolution sur le Tescan LYRA 3 XMH

 

Contact : Patrick Soucy